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      HX1M080120D SIC MOSFET

      VR(V)                      :650
      PKG                         :TO-247-3L
      ID(A) @100℃       :28
      Ron(mΩ)@25℃    :80
      Vth(V)                     :2.9
      产品详情
      中瑞宏芯碳化硅MOSFET产品覆盖650V-1700V电压等级并提供从20 mΩ-1Ω等多种规格，主要封装形式为TO247-3L、 TO247-4L及其他工业领域常见封装。SiC MOSFET以其低导通电阻和紧凑的芯片尺寸确保了较低的电容和栅极电荷。SiC的特性消除了开关期间的拖尾电流，使得操作更迅速并减少了开关损耗。 

      SIC MOSFET选型表
      Product VR(V) PKG ID(A) @100℃ Ron(mΩ) @25℃ Vth(V)
      HX1M040065D 650 TO-247-3L 40 40 2.7
      HX1M040065K 650 TO-247-4L 40 40 2.7
      HX1M160120D 1200 TO-247-3L 10 160 2.7
      HX1M160120K 1200 TO-247-4L 10 160 2.7
      HX1M080120D 1200 TO-247-3L 28 80 2.9
      HX1M080120K 1200 TO-247-4L 20 80 2.7
      HX1M080120J 1200 TO-263-7L 20 80 2.7
      HX1M040120D 1200 TO-247-3L 40 40 2.7
      HX1M040120K 1200 TO-247-4L 40 40 2.7
      HX1M040120J 1200 TO-263-7L 40 40 2.7
      HX1M018120D 1200 TO-247-3L 75 18 2.7
      HX1M018120K 1200 TO-247-4L 75 18 2.7
      HX1M022120D 1200 TO-247-3L 57 22 2.8
      HX1M022120K 1200 TO-247-4L 57 22 2.8
      HX1M1000170D 1700 TO-247-3L 2 1000 2.7
      HX1M1000170J 1700 TO-263-7L 2 1000 2.7

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